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Sea un conjunto de partículas cuánticas idénticas de espín semientero:
La función de onda que las describe ha de ser totalmente simétrica o antisimétrica bajo el intercambio de dos cualesquiera de ellas.
La función de onda que las describe ha de ser totalmente antisimétrica bajo el intercambio de dos cualesquiera de ellas.
La función de onda que las describe ha de ser totalmente simétrica bajo el intercambio de dos cualesquiera de ellas.
Son fermiones y se describen mediante la distribucion estadística de Bose-Einstein.
Son bosones y se describen mediante la distribucion estadística de Fermi-Dirac.
La separación en estructura fina entre los niveles 2P3/2 y 2P1/2 en hidrogeno es 4.5 x 10-5 eV. Estimar el campo magnético que experimenta el electrón 2p. Asume que el campo magnético es paralelo al eje z. Momento magnético del electrón = 9.27 x 10-24 J/T.
0.39 T.
0.78 T.
1.54 T.
0.2 T.
0.1 T.
Estimar el retardo esperado CLÁSICAMENTE en la emisión de un fotoelectrón para luz de 400 mn de intensidad 0.01 W/m2 sobre potasio (longitud de onda umbral = 558 nm). (Radio típico de un átomo = 1 Angstrom):
1.13 x 106 s.
1.13 x 103 s.
1.13 x 10-3 s.
1.13 x 10-6 s.
1.13 x 10-9 s.
La temperatura crítica Tc de un superconductor varia con la masa del isotopo (efecto isotópico) según:
M(1/2) Tc=cte.
M(3/2) Tc=cte.
M(1/3) Tc=cte.
M(2/3) Tc=cte.
M(5/2) Tc=cte.
En un circuito amplificador compuesto por un transistor n-p-n las resistencias de entrada y salida son 50 o y 1000 o, respectivamente. ¿Cuánto es la amplificación del circuito si la eficiencia del transistor es de 0,96?:
50
18,4
20,8
48
12,6
¿Qué representa el término “offset” en un sistema automático de control de un proceso que opera en modo proporcional?:
El valor umbral de una variable del proceso.
La diferencia entre el valor de una variable del proceso y su “setpoint” cuando el proceso no se ha estabilizado.
El valor mínimo fijado a una variable del proceso.
La diferencia entre el “setpoint” de una variable del proceso y su valor real cuando el proceso se ha estabilizado.
El valor máximo que podría alcanzar una variable en el proceso.
En un transistor MOSFET:
El sustrato de Silicio puede ser de tipo p o de tipo n.
La Corriente de Drenaje ID es independiente de los voltajes aplicados a los terminales.
Cuando se produce “estrangulamiento” o desaparición del canal conducto la pendiente de la curva ID-VD es máxima.
Cuando la región de vaciamiento se ensancha a lo largo del canal aumenta la cantidad de portadores de la capa de inversión.
Si VD es igual o mayor que el voltaje de ruptura de la unión, la corriente de fuga en esta es despreciable frente a la de canal.
Señalar la respuesta correcta. En una unión p-n de semiconductores:
La aproximación de vaciamiento supone que los portadores móviles son abundantes en la región de vaciamiento.
La región de vaciamiento se extiende más en el material más débilmente dopado.
La función del potencial en la región de vaciamiento depende de forma inversa del voltaje interno en la union (Vbi).
Si esta polarizada de forma directa (positivo en p y negativo en n) aumenta la tensión sobre la región de vaciamiento.
En los diodos de unión p-n no se produce región de vaciamiento.
Los detectores de germanio son:
Detectores centelleadores.
Cámaras de ionización.
Detectores semiconductores.
Detectores termoluminiscentes.
Detectores Cherenkov.
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