Examen RIR 2012-2013 - TERCERA PARTE

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186. ¿Puede un detector de gas genérico ser usado para determinar la energía de las partículas que inciden en su volumen activo?:

1. No, nunca

2. Sí, si la energía de la partícula detectada es suficientemente alta

3. Sí, si se utiliza en la zona de respuesta proporcional y se detectan rayos X de baja energía

4. Sí, independientemente de las condiciones de funcionamiento

5. Sí, si se utiliza en la zona de recombinación

187. Cuando se utiliza un semiconductor como detector de radiación, hacemos uso del factor de Fano que relaciona las varianzas de la carga recogida (teórica predicha por Poisson y observada). Este factor de Fano:

1. Será menor si la resolución energética del detector es mejor

2. Será mayor si la resolución energética del detector es mejor

3. Es independiente de la temperatura del detector

4. Depende de la constante de desintegración radiactiva del material

5. No existe el factor de Fano

188. Respecto a un detector de centelleo, la extinción o quenching consiste en:

1. La inhibición de la producción de la luz en el proceso de centelleo. En ese caso el espectro pierde intensidad y se desplaza hacia las bajas energías

2. La inhibición de la producción de luz en el proceso de centelleo. En cuyo caso el espectro pierde intensidad y se desplaza hacia las altas energías

3. La eliminación de impurezas en el cristal mediante una fuente irradiación del mismo ocasionando un aumento de su eficiencia y un desplazamiento del espectro hacia las bajas energías

4. La eliminación de impurezas en el cristal mediante una fuerte irradiación del mismo ocasionando un aumento de su eficiencia y un desplazamiento del espectro hacia las altas energías

5. La eliminación de impurezas en el cristal mediante tratamiento químico del mismo ocasionando un aumento de su eficiencia y un desplazamiento del espectro hacia las altas energías

189. Dispositivos de efecto campo. Señalar la afirmación VERDADERA:

1. La carga de óxido fija en MOS suele distribuirse de modo uniforme en el óxido

2. Un MOSFET entra en saturación cuando fuente y drenaje inyectan simultáneamente portadores minoritarios en el canal

3. La carga de trampa interfacial es típicamente una función del voltaje aplicado a la compuerta

4. El “efecto campo” se produce cuando los portadores son acelerados por un campo eléctrico aplicado paralelo a la superficie del semiconductor

5. El efecto campo es la eliminación de la capa de inversión conductora en el extremo de drenaje del canal de un MOSFET cuando VD=VDsaturación (VD es voltaje del drenaje)

190. Generalmente puede asumirse que el ruido en un fotodetector es:

1. Proporcional a la raíz cuadrada de su área y a la raíz cuadrada del ancho de banda

2. Inversamente proporcional a la raíz cuadrada de su área y a la raíz cuadrada del ancho de banda

3. Proporcional a su área y al ancho de banda

4. Proporcional a su área y a la raíz cuadrada del ancho de banda

5. Inversamente proporcional a su área y proporcional a la raíz cuadrada del ancho de banda

191. Los fotodetectores pueden clasificarse en térmicos y cuánticos. De los siguientes tipos de fotodetectores, ¿Cuál es un detector térmico?:

1. Fotodiodo

2. Fotomultiplicador

3. Fotoconductor

4. Bolómetro

5. Fototransistor

192. Un semiconductor dopado tiene 10.000 millones de átomos de silicio y 15 millones de átomos pentavalentes. Si la temperatura ambiente es de 25º C, ¿cuántos electrones libres y huecos habrá en el interior del semiconductor?:

1. 15 millones de electrones libres y casi no habrá huecos

2. 15 millones de electrones libres y 15 millones de huecos

3. 9985 de electrones libres y 15 millones de huecos

4. 9985 de electrones libres y casi no habrá huecos

5. 9985 electrones libres y 9985 huecos

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